ECS Journal of Solid State Science and Technology, v. Study of a Fringing Field Biosensor Tunnel-FET. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. The Impact of Spacer Oxide Material on the Underlapped SOI-nFinFET Working as Charged Based Radiation Sensor. Study of the UTBB BESOI Tunnel-FET working as a Dual-Technology Transistor. Semiconductor Science and Technology, v.

Current mirror designed with GAA nanosheet MOSFETs from room temperature to 200 вЊ. PERINA, WELDER F MARTINO, JOAO ANTONIO SIMOEN, Eddy VELOSO, ANABELA DER AGOPIAN, PAULA GHEDINI. Evaluation of Dielectrically Modulated and Fringing Field Tunneling Field Effect Transistor Biosensors Devices. MACAMBIRA, CHRISTIAN NEMETH AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER Martino, JoГЈo Antonio. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. Analog Figures of Merit of Vertically Stacked Silicon Nanosheets nMOSFETs With Two Different Metal Gates for the Sub-7 nm Technology Node Operating at High Temperatures. SIMOEN, Eddy VELOSO, ANABELA AGOPIAN, PAULA G. Gate dielectric material influence on DC behavior of MO(I)SHEMT devices operating up to 150вЊ. Impact of gate current on the operational transconductance amplifier designed with nanowire TFETs. AGOPIAN, PAULA SIMOEN, Eddy ROOYACKERS, Rita CLAEYS, Cor COLLAERT, Nadine MARTINO, JOAO A. Low frequency noise performance of horizontal, stacked and vertical silicon nanowire MOSFETs. SIMOEN, Eddy DE OLIVEIRA, ALBERTO VINICIUS AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER RITZENTHALER, ROMAIN MERTENS, HANS HORIGUCHI, NAOTO MARTINO, JOAO ANTONIO CLAEYS, Cor VELOSO, ANABELA. SeГ§ГЈo coletada automaticamente pelo Escavador Г‰ pesquisadora produtividade NГvel 1D do CNPq e participa de projetos de cooperaГ§ГЈo internacional entre Brasil e BГ©lgica. Г‰ senior member e Vice-Presidente do CapГtulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da SeГ§ГЈo Sul-Brasil.

Tem experiГЄncia na ГЎrea de Engenharia ElГ©trica, com ГЄnfase em microeletrГґnica, atuando principalmente nos seguintes temas: Tecnologia SOI CMOS, FinFET, RadiaГ§ГЈo, dispositivos tensionados, e transistores de tunelamento (TFETs). Atualmente Г© professora da Universidade Estadual Paulista (UNESP) e pesquisadora associada Г Universidade de SГЈo Paulo. Gerenciou o Centro de Treinamento para Projetistas de Circuitos Integrados da Escola PolitГ©cnica da USP do programa CI-Brasil. O pГіs-doutorado foi realizado na Escola PolitГ©cnica da Universidade de SГЈo Paulo em cooperaГ§ГЈo com o Centro de pesquisa Imec/ BГ©lgica (2014). Possui graduaГ§ГЈo em Engenharia ElГ©trica com ГЄnfase em computadores pelo Centro UniversitГЎrio da FEI (2000), mestrado (2003) e doutorado (2008) em Engenharia ElГ©trica (microeletrГґnica) pela Universidade de SГЈo Paulo.

Ioff significa microeletronica